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湿法刻蚀设备中,超纯水(DI Water/UPW)是湿法清洗工艺中的关键介质,其水质纯度会直接影响晶圆表面的洁净度、产品良率以及后续工艺稳定性。
在半导体、光伏及精密电子制造过程中,超纯水广泛用于:
晶圆漂洗(Rinse)
化学药液稀释
去除颗粒与化学残留
工艺槽体循环补水
清洗后的最终冲洗
由于芯片制造对污染极为敏感,普通水中所含的金属离子、颗粒物、有机物、细菌及溶解杂质,都可能在晶圆表面形成污染,进而导致:
表面缺陷增加
金属污染
电性能异常
良率下降
产品可靠性降低
因此,湿法清洗通常采用高纯度超纯水(UPW),其电阻率可达到 18.2 MΩ·cm,并严格控制:
金属离子含量
微颗粒数量
TOC(总有机碳)
溶解氧
细菌与微生物
高品质超纯水不仅能够提升颗粒清洗效果,还能有效减少化学残留、水痕及二次污染,为后续刻蚀、氧化、镀膜、光刻等工艺提供稳定洁净的表面条件。
尤其在先进半导体制程、MEMS、化合物半导体以及高端光伏清洗工艺中,超纯水系统已成为影响设备性能与产品良率的重要基础设施。