什么是RCA清洗？
RCA清洗是半导体制造中的经典湿法清洗工艺， 主要用于去除硅片表面的：有机污染、颗粒污染、金属离子及天然氧化层。
RCA清洗广泛应用于： MEMS、功率器件、CMOS、先进封装及晶圆前道清洗工艺。
RCA清洗常见问题
颗粒残留
导致后续薄膜沉积缺陷及器件失效。
金属离子污染
影响器件电性能和可靠性。
氧化层腐蚀
温控与药液比例异常易损伤氧化层。
清洗不均匀
片内温场与流场不稳定导致局部残留。
交叉污染
槽体循环设计不合理导致污染返附。
药液老化
影响清洗效率与重复性。
江苏清芯RCA清洗解决方案
| 控制模块 | 清芯方案 | 作用 |
|---|---|---|
| SC1清洗 | NH₄OH/H₂O₂/H₂O精确配比 | 去除颗粒及有机污染 |
| SC2清洗 | HCl/H₂O₂/H₂O自动控制 | 去除金属离子 |
| 温控系统 | ±0.3℃恒温控制 | 避免过腐蚀 |
| 循环过滤 | 0.2μm高精过滤 | 防止二次污染 |
| 兆声辅助 | 1MHz兆声清洗 | 提升颗粒剥离能力 |
| 自动补液 | PLC闭环配液控制 | 稳定药液浓度 |
推荐RCA工艺参数
| 工艺 | 推荐参数 |
|---|---|
| SC1 | NH₄OH:H₂O₂:H₂O = 1:1:5，75–80℃ |
| SC2 | HCl:H₂O₂:H₂O = 1:1:6，75–80℃ |
| HF Dip | 1–2% HF，30–60秒 |
| 漂洗 | 18MΩ超纯水 |
| 干燥 | Marangoni IPA干燥 |
适用场景
MEMS前处理
微结构加工前颗粒与有机污染去除。
功率器件清洗
提升界面洁净度与氧化质量。
科研及中试线
支持2–8英寸灵活工艺开发。
RCA清洗FAQ
RCA清洗为什么会腐蚀氧化层？
温度过高、H₂O₂比例异常或清洗时间过长均可能造成氧化层腐蚀。
RCA清洗为什么需要控温？
保证化学反应速率稳定，防止局部过腐蚀。
如何减少颗粒返附？
通过高精过滤、兆声辅助及优化流场设计实现。
江苏清芯RCA设备适用于哪些晶圆尺寸？
支持2–8英寸科研、中试及量产清洗需求。
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江苏清芯半导体提供定制化全自动/半自动/手动RCA清洗设备解决方案。
技术热线：153-3509-8891
