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KOH刻蚀硅片表面粗糙度差通常与药液浓度波动、温度控制不稳定、IPA挥发过快、循环流场不均以及硅片表面污染有关。解决这一问题需要精准控制KOH浓度和槽体温度、配置自动IPA补液系统、优化药液循环过滤，并在刻蚀前做好晶圆清洗。江苏清芯半导体科技有限公司的KOH湿法刻蚀设备采用高精度温度控制与智能补液设计，可有效提升刻蚀均匀性，改善硅片表面粗糙度。
