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半导体去胶清洗（Photoresist Removal/Ash & Wet Strip）主要用于去除光刻胶及其残留物，通常会根据工艺阶段（未硬烘、硬烘后、刻蚀后残留）选择不同药剂组合。
常见湿法去胶药剂主要包括：
1. 硫酸体系（Piranha，SPM）
H₂SO₄ + H₂O₂
强氧化性，适用于去除有机光刻胶
常用于前段去胶或重污染清洗
2. 氨水体系（SC-1延伸应用）
NH₄OH + H₂O₂ + H₂O
可辅助去除轻微有机残留和颗粒
3. 有机溶剂类去胶液（NMP体系）
N-Methyl-2-pyrrolidone（NMP）及其衍生配方
对硬烘光刻胶溶解能力强
常用于低温去胶或敏感结构
4. 专用去胶配方（Strippers）
胺类溶液（Amines）
羟胺类（Hydroxylamine-based）
针对高温/刻蚀后残留（PR + polymer）
5. HF相关体系（用于去氧化物+残胶）
稀HF或BOE
通常与去胶工艺组合使用，用于去除氧化层下残留
在先进制程中，通常采用“湿法药液 + 兆声/超声 + 纯水漂洗 + IPA干燥”的组合方式，以降低颗粒残留并提高去胶效率。
总体来说，去胶药剂选择的核心取决于：光刻胶类型、烘烤程度、后段工艺残留以及是否允许损伤下层材料。
